Thomas P.
SK Hynix, une entreprise de premier plan dans l’industrie des semi-conducteurs en Corée du Sud, a réalisé des progrès impressionnants dans la technologie de la mémoire grâce à sa nouvelle invention, appelée HBM3E. Cette avancée majeure représente la cinquième étape de la technologie High Bandwidth Memory (HBM), s’appuyant sur le succès de ses prédécesseurs – HBM, HBM2, HBM2E et HBM3.
Le HBM3E démontre les compétences de SK Hynix, en augmentant considérablement la vitesse de transfert des données grâce à son savoir-faire avancé en matière de mémoire HBM3. Cette réalisation consolide la position de leader de SK Hynix et prépare la production de masse pour le début de l’année prochaine. Au cœur des performances impressionnantes du HBM3E se trouve sa capacité inégalée, atteignant 1,15 téraoctets (To) par seconde. Pour se faire une idée, cela équivaut à traiter 230 films Full HD de 5 Go chacun en seulement une seconde.
L’une des principales innovations qui distingue le HBM3E est l’utilisation d’une technologie de pointe appelée Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill). Cette dernière permet d’améliorer le processus de refroidissement de 10 % par rapport à la génération précédente. En conséquence, la mémoire fonctionnera plus rapidement et plus efficacement. Les nouvelles piles de mémoire offrent un taux de transfert de données de 9 GT/s, ce qui dépasse de loin les piles HBM3 de l’entreprise de 40 %. La meilleure chose à propos du HBM3E est sa puissance incroyable – elle traite 1,15 To de données par seconde. Imaginez 230 films Full-HD (5 Go chacun) en seulement une seconde.
De plus, le HBM3E est compatible avec les modèles déjà disponibles sur le marché. Les utilisateurs n’ont donc pas besoin de faire de nombreux changements lorsqu’ils passent de leur ancienne à leur nouvelle mémoire. En d’autres termes, si vous avez un appareil qui fonctionne avec une mémoire de génération précédente, il n’est pas nécessaire de faire de gros changements. La mémoire HBM3E fonctionnera avec tous les modèles connus.
HBM3E : Le chef-d’œuvre de la mémoire qui va vous éblouir !
Cette avancée majeure a attiré l’attention de géants comme NVIDIA. Ian Buck, vice-président de NVIDIA, est ravi de continuer à collaborer sur le HBM3E pour la prochaine phase de l’informatique IA. Dans un marché nécessitant une manipulation plus rapide des données, le HBM3E de SK Hynix est un véritable game-changer. Il est sur le point de transformer la technologie de la mémoire IA. Lorsqu’il arrivera sur le marché l’année prochaine, son pouvoir de renforcer le calcul IA et d’accélérer le progrès technologique sera évident.
« Nous avons une longue histoire de collaboration avec SK hynix sur la mémoire High Bandwidth pour des solutions de calcul accéléré de pointe », a déclaré Ian Buck, vice-président de l’informatique à grande échelle et de HPC chez NVIDIA. « Nous sommes impatients de poursuivre notre collaboration avec le HBM3E pour fournir la prochaine génération de calcul IA. »
SK Hynix brille en tant que « producteur de masse » de la technologie HBM3. Elle est prête à répondre aux besoins croissants de stockage de l’IA, en augmentant la production de HBM3E au début de l’année 2024. Leur promesse solide d’améliorer le marché de la mémoire IA grâce à des produits HBM de premier choix garantit un changement commercial rapide et révolutionnaire.
Alors que l’IA et l’apprentissage automatique gagnent en popularité chaque jour, la nécessité d’un traitement plus rapide des données devient plus urgente que jamais. La nouvelle technologie HBM3E de SK Hynix, avec sa vitesse sans précédent, se profile comme un chef de file de l’innovation avec le potentiel de transformer le domaine du calcul IA. Lorsque cette technologie arrivera, elle redéfinira la mémoire IA et entraînera de grands changements.
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