La percée de l’UltraRAM pourrait enfin fusionner la RAM et le stockage en un seul package

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Pourquoi c’est important : pendant très longtemps, la mémoire et le stockage ont fonctionné comme des parties distinctes d’un appareil informatique. Les fabricants ont essayé de combiner les avantages de la RAM et de la NAND en un seul package, mais avec un succès limité. Un nouveau type de mémoire non volatile appelée UltraRAM montre du potentiel, mais il faudra un certain temps avant qu’il puisse être intégré dans un produit commercial.

La fusion de la mémoire vive (RAM) et du stockage n’est pas une idée nouvelle, mais jusqu’à présent, aucune entreprise n’a réussi à matérialiser ce concept en un produit commercial à succès et largement utilisé. Cependant, cela ne signifie pas que la recherche sur ce sujet est devenue froide.

Plus tôt ce mois-ci, des chercheurs du département de physique et d’ingénierie de l’Université de Lancaster au Royaume-Uni ont publié un article détaillant les progrès importants réalisés pour rapprocher l’UltraRAM de la production de masse.

L’UltraRAM est décrite comme une technologie de mémoire qui « combine la non-volatilité d’une mémoire de stockage de données, comme la mémoire flash, avec la vitesse, l’efficacité énergétique et l’endurance d’une mémoire de travail, comme la DRAM ». Si cela vous semble familier, c’est parce qu’Intel a déjà essayé de combler le fossé entre la DRAM et le stockage flash avec Optane, mais avec un succès limité. Samsung a quelque chose appelé Z-NAND, et Kioxia et Western Digital souhaitent également intégrer XL-FLASH dans les futures solutions de stockage grand public et d’entreprise.

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Les matériaux utilisés pour fabriquer l’UltraRAM sont les mêmes semi-conducteurs composés que ceux utilisés dans les dispositifs optoélectroniques tels que les LED, les lasers, les photodiodes et les phototransistors. La dernière percée réalisée par les scientifiques à l’origine de ce produit a consisté à améliorer ses performances lorsqu’il est construit sur des substrats de silicium par opposition aux plaquettes d’arséniure de gallium, qui peuvent être jusqu’à 1 000 fois plus chères.

Cela signifie que l’UltraRAM a le potentiel d’être une solution de mémoire rentable. Les scientifiques affirment que les prototypes d’appareils qu’ils ont testés peuvent offrir 1 000 ans de conservation des données et une « endurance sans dégradation » de plus de 10 millions de cycles de programmation/effacement. Le dernier chiffre à lui seul est susceptible de susciter l’intérêt des entreprises technologiques, surtout s’il peut vraiment être aussi rapide que la RAM traditionnelle.

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Un autre avantage de cette nouvelle technologie est qu’elle exploite l’effet mécanique quantique de l’effet tunnel résonnant pour permettre à une barrière de passer d’opaque à transparente lorsqu’une tension est appliquée. Ce processus est très économe en énergie par rapport aux technologies de commutation utilisées dans la mémoire RAM et le stockage flash, il pourrait donc conduire à de meilleurs appareils mobiles qui durent plus longtemps lorsqu’ils sont utilisés sur batterie.

Le même processus permet une architecture très compacte avec une densité de bits élevée, ce qui devrait en théorie permettre aux fabricants d’entasser plus de capacité de mémoire dans une seule puce. Les chercheurs de l’Université de Lancaster ont déclaré qu’ils devaient encore améliorer le processus de fabrication des cellules mémoire, mais il s’agit néanmoins d’une technologie intéressante avec un grand potentiel pour l’informatique en mémoire, car elle éliminerait le besoin de faire des allers-retours entre les données. le processeur, la mémoire et le stockage non volatile d’un appareil.