Cette année pourrait marquer un tournant majeur pour l’industrie DRAM. Les grands fabricants de mémoire, dont Samsung, SK Hynix et Micron, semblent se détourner des solutions DDR3 et DDR4, mettant l’accent sur les puces de haute performance. Cette évolution pourrait transformer durablement le marché et affecter les clients finaux.
Le « big three » de l’industrie DRAM se prépare à mettre fin à la production des solutions de mémoire DDR3 et DDR4 cette année. Samsung Electronics, SK Hynix et Micron réajustent leurs stratégies commerciales, se concentrant sur les produits DDR5 et la mémoire à large bande (HBM) pour un avenir prévisible.
L’arrêt de la production des technologies de mémoire plus anciennes pourrait avoir un impact significatif sur le marché, car les clients finaux et les fabricants de dispositifs en dépendent encore. Les sources industrielles prévoient des pénuries d’approvisionnement à partir de la fin de 2025, les fabricants taïwanais étant attendus pour combler le vide laissé par leurs concurrents sud-coréens et américains.
Selon Nanya Technology, un important fournisseur de composants taïwanais, les stratégies de tarification devront s’adapter à ces évolutions du marché. Le marché DRAM devrait connaître une contraction au premier semestre 2025, mais devrait se rétablir rapidement, soutenu par une demande croissante, une gestion des stocks efficace et des initiatives de relance économique dans diverses régions.
Les entreprises tentent toujours d’extraire une offre tangible de la très médiatisée révolution IA, tandis que l’industrie des puces continue de récolter des récompenses financières. La demande pour les produits de mémoire est principalement stimulée par l’infrastructure de cloud computing pour les charges de travail IA, bien que la demande des consommateurs ne fournisse qu’un modeste coup de pouce.
Les prix devraient évoluer en réponse à ces tendances du marché. Les prix de la mémoire DDR3 et DDR4 sont actuellement en déclin, tandis que les fabricants réorientent stratégiquement leurs efforts vers DDR5 et HBM. Parallèlement, les analystes de inSpectrum rapportent que les prix de DDR5 continuent d’augmenter malgré une demande faible.
L’accent croissant sur les produits de mémoire haute performance pousse les fournisseurs de composants à moderniser leurs capacités de fabrication. Le fabricant taïwanais de circuits intégrés Winbond Electronics prévoit de passer à un nouveau processus 16nm dans la seconde moitié de 2025 pour produire des puces 8Gb DDR. Actuellement, le processus 20nm de l’entreprise est principalement utilisé pour les puces 4Gb dans les solutions de mémoire DDR3 et DDR4.