Moulin à rumeurs : Alors que la production de masse de semi-conducteurs commence à entrer dans l’ère du 3 nm, tous les principaux concurrents intensifient la course vers le 2 nm. Alors que des entreprises comme Samsung et Intel envisagent des nœuds de processus de plus en plus petits, le leader de l’industrie TSMC prend des mesures préliminaires pour garder une longueur d’avance.
Des sources ont déclaré au journal taïwanais Economic Daily que TSMC a commencé les travaux de pré-production sur les semi-conducteurs 2 nm, une étape cruciale vers la production d’essai. Le calendrier actuel de l’entreprise pourrait lui permettre de devancer ses concurrents comme Intel et Samsung.
Selon certaines informations, TSMC a envoyé des ingénieurs et des travailleurs de support à l’usine de R&D de Baoshan, à Taiwan Zhuke, pour préparer la production d’essai de 2 nm, visant à produire 1 000 plaquettes cette année. La société a refusé de commenter l’information. Les roadmaps précédemment confirmées indiquent des plans pour une production d’essai de 2 nm en 2024, avec une production de masse à venir en 2025.
Fait intéressant, des sources d’Economic Daily affirment que le processus de fabrication de TSMC utilise une méthode améliorée par l’IA appelée AutoDMP, qui est alimentée par les puces DGX H100 de NVIDIA. L’IA optimise la conception des puces 30 fois plus rapidement que les autres techniques, améliorant l’efficacité énergétique et réduisant les émissions de carbone.
Avec 2 nm, TSMC passera aux transistors gate-all-around (GAAFET), ce qui peut augmenter la densité des transistors et réduire le courant de fuite. Le nouveau nœud pourrait améliorer les performances sur 3 nm de 10 à 15 % au même niveau de puissance ou utiliser 20 à 25 % d’énergie en moins avec les mêmes performances.
Pendant ce temps, Intel souhaite lancer son nœud 20 Ångström (20A, essentiellement 2 nm) en 2024, Samsung prévoyant de démarrer la production de masse de 2 nm en 2025. Les deux utiliseront GAAFET et l’alimentation arrière pour augmenter la densité logique et réduire les fuites de puissance. La société japonaise Rapidus vise à produire en masse des semi-conducteurs de 2 nm d’ici 2027. À plus long terme, Samsung a l’intention d’atteindre 1,4 nm d’ici 2027, tandis que TSMC prévoit 1 nm.
À court terme, Samsung et TSMC se concentrent sur l’amélioration de leurs nœuds 3 nm. Samsung a commencé le 3 nm en juin dernier, tandis que TSMC a commencé la production de masse juste avant la nouvelle année.
Cependant, Apple a récupéré l’approvisionnement entièrement précoce de transistors 3 nm de TSMC, probablement pour des produits à venir comme l’iPhone 15. Cela pourrait permettre à Samsung de courtiser d’autres clients comme NVIDIA, Qualcomm et Baidu pour son prochain nœud GAA 3 nm. Samsung, Intel et TSMC prévoient de proposer des versions plus efficaces de 3 nm en 2024.
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