Gabriel
En bref : Alors que nous nous rapprochons de 10 nm pour la technologie DRAM, les fabricants comme Samsung ont de plus en plus de mal à trouver des moyens de réduire les transistors et les condensateurs utilisés dans la construction des cellules mémoire. Cela dit, Samsung affirme avoir accéléré avec succès la production de puces DDR5 12 nm, avec d’autres améliorations en cours grâce aux récentes avancées de la science des matériaux.
Aujourd’hui, Samsung a révélé qu’il avait commencé à produire en masse des puces DDR5 de 16 Go en utilisant la technologie de traitement de classe 12 nm la plus avancée. La société considère qu’il s’agit de sa plus grande réussite en matière de DRAM depuis l’introduction des puces DRAM de 64 Mo en 1992 et affirme qu’elle reste plus que jamais déterminée à innover dans ce domaine.
Le géant coréen de la technologie explique que cette génération de puces DDR5 n’est pas conçue pour une densité de bits accrue ou des vitesses plus élevées. Au lieu de cela, l’accent a été mis sur la réduction de la consommation d’énergie jusqu’à 23 % par rapport à la génération précédente. Cela indique que ces puces sont toujours conçues pour une vitesse de broche maximale de 7,2 Gbps, ce qui est comparable au transfert de deux films 4K de 30 Go en une seconde environ.
Samsung affirme que la transition d’un nœud de processus de classe 14 nm vers le nouveau a été possible grâce en grande partie à un nouveau matériau à haute K pour les grilles de transistor. Cela a permis à l’entreprise d’augmenter la capacité des cellules et d’améliorer l’intégrité du signal, ce qui se traduit par un fonctionnement de la mémoire plus stable et plus efficace puisque les cellules n’auront pas à être rafraîchies aussi souvent.
De plus, les améliorations de la précision des modèles EUV ont permis à Samsung d’augmenter la productivité des plaquettes jusqu’à 20 %. Cela dit, la société estime qu’il reste encore beaucoup de place pour repousser les limites de la taille des cellules en utilisant des métaux à résistance encore plus faible. En théorie, ces nouveaux matériaux devraient permettre à l’entreprise d’améliorer la résistance des lignes de mots et de bits de 40 et 25 % supplémentaires, respectivement. Des améliorations supplémentaires apportées à la technologie FinFET pourraient améliorer les vitesses de 30 % supplémentaires et réduire la consommation d’énergie jusqu’à 20 %.
La nouvelle technologie de mémoire DDR5 12 nm arrivera pour la première fois sur les marchés des centres de données et des stations de travail plus tard cette année, mais il ne faudra pas longtemps avant qu’elle ne fasse son chemin dans les produits grand public. Il convient de noter qu’AMD a travaillé en étroite collaboration avec Samsung sur une DRAM DDR5 de 16 Go optimisée pour les systèmes Ryzen, la production de masse de cette déclinaison devant commencer au cours du second semestre de cette année.
Entre-temps, l’activité mémoire de Samsung est l’une des nombreuses dans l’industrie des puces à avoir été affectée par ce que les analystes décrivent comme le « ralentissement le plus marqué » depuis plus d’une décennie. La société coréenne a vu ses bénéfices s’évaporer ces derniers mois mais reste optimiste quant à une reprise du marché vers la fin de l’année.
L’un des effets du ralentissement est que les prix des DRAM continueront de baisser pendant encore quelques mois, principalement en raison d’un inventaire OEM excédentaire. C’est une excellente nouvelle pour les consommateurs, mais des fabricants comme Samsung, SK Hynix et Micron sont naturellement intéressés à arrêter cette tendance dès que possible. Pour Samsung en particulier, cela indique fabriquer moins de produits DDR4 à faible marge pour inciter ses clients à adopter une technologie DRAM plus récente.
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