Samsung présente un module de RAM DDR5-7200 de 512 Go d’avenir

Samsung Présente Un Module De Ram Ddr5 7200 De 512 Go

En bref : comme d’autres fabricants de mémoire, Samsung ne s’attend pas à ce que la DDR5 devienne grand public avant 2023. En attendant, la société sud-coréenne construit des modules DDR5-7200 de taille monstrueuse pour le centre de données, à commencer par un module de 512 gigaoctets qui entrera en production de masse d’ici la fin de cette année.

La conférence Hot Chips est toujours en mouvement et Samsung profite de l’occasion pour lancer un module de mémoire DDR5 spécial d’une capacité totale de plus de 512 gigaoctets. Il s’agit d’une évolution naturelle par rapport aux modules DDR4 actuels qui vont jusqu’à 256 gigaoctets, mais c’est aussi l’histoire de nombreux défis que l’entreprise a dû surmonter pour en arriver là.

Le module DDR5-7200 a été annoncé pour la première fois en mars, et les puces mémoire sont fabriquées à l’aide d’un processus High-K Metal Gate (HKMG) qui réduit les fuites et repousse les limites de ce que la DRAM peut atteindre en termes de performances. C’est également une première pour la DRAM, bien que les fabricants de processeurs comme Intel utilisent cette technologie de processus depuis 2007, lorsque la société l’a utilisée pour ses processeurs Penryn Core 2.

Samsung presente un module de RAM DDR5 7200 de 512 Go

Alors que JEDEC n’a pas encore ratifié une norme DDR5-7200, Samsung n’a pas révélé les latences auxquelles ce nouveau module de mémoire fonctionne. Tout ce que nous savons, c’est qu’il offrira des performances 40 % supérieures par rapport aux précédents Samsung DDR4 RDIMM tout en fonctionnant à seulement 1,1 volts. Il en résulte une augmentation de 30 % de l’efficacité énergétique grâce en grande partie au circuit intégré de gestion de l’alimentation (PMIC) et à un bus DRAM considérablement amélioré.

En termes de construction, Samsung dit qu’il empile pas moins de huit matrices DDR5 dans moins d’espace qu’il n’en fallait pour deux fois moins de matrices DDR4. Ceci a été réalisé en amincissant les matrices ainsi que la connexion à travers le silicium via (TSV) entre elles, ce qui a conduit à une réduction significative de la hauteur totale du boîtier en silicium. La taille plus compacte a incité l’entreprise à améliorer les capacités de refroidissement avec une impédance de flux d’air plus faible.

Il convient de noter que ce module de RAM est destiné au marché des serveurs, et en tant que tel, nous ne verrons pas de mémoire d’une taille (et coûteuse) aussi monstrueuse dans les magasins de détail. Il signale cependant que des modules de 64 gigaoctets sont en route, pour les consommateurs qui voudront jouer à des jeux à partir d’un disque RAM ainsi que pour les professionnels qui en ont besoin pour les PC de classe station de travail.

Le module DDR5-7200 de 512 gigaoctets de Samsung devrait entrer en production de masse d’ici la fin de cette année.

  • Samsung SSD Interne 860 EVO 2.5" (500 Go)
    Interface : SATA 6 Go/s (compatible avec SATA 3 Go/s et SATA 1,5 Go/s). Consommation électrique: moyenne: 2,2 W, maximale: 4,0 W (mode rafale); La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système NAND Type: Samsung V-NAND 3bit MLC. TRIM pris en charge Capacité: 500 Go (la capacité réelle peut être inférieure (une certaine partie de la capacité peut être utilisée par le formatage, le système d’exploitation ou d’autres applications.) Dimensions: 100 X 69.85 X 6.8 (mm) | Forme: 2.5 pouce Jusqu'à 550Mo/s de lecture séquentielle et 520Mo/s d'écriture séquentielle Garantie: 5ans. Température de fonctionnement: 0 - 70℃ Poids Max 50.0g Mémoire cache: 512 Mo LPDDR4
  • HyperX FURY Black HX318C10FBK2/16, 1866 MHz DDR3 CL10 DIMM 16GB Kit*(2x8GB)
    Fonctionnalité Plug N Play Overclocking automatique jusqu'à la vitesse la plus élevée autorisée par le BIOS du système. Design asymétrique et agressif du dissipateur de chaleur. 100% testée à toutes les fréquences