Kioxia, fabricant japonais de mémoire, prévoit de dévoiler trois technologies mémorables lors de la réunion IEEE International Electron Devices à San Francisco en décembre. Ces innovations prometteuses pourraient transformer le paysage de la mémoire en introduisant des solutions intermédiaires entre DRAM et stockage flash.
Kioxia, un fabricant de mémoire japonais, a annoncé qu’il présentera trois technologies pionnières lors de la réunion IEEE International Electron Devices qui se tiendra à San Francisco en décembre. Les développements semblent très prometteurs.
Les systèmes informatiques d’aujourd’hui reposent sur une combinaison de DRAM rapide pour le traitement actif et de stockage flash pour la rétention de données à long terme. Cependant, Kioxia travaille sur un nouveau niveau dans la hiérarchie de la mémoire avec la Mémoire de Classe Stockage (SCM) – un moyen à haute capacité et rapide qui se situe entre le DRAM et le flash, fournissant à la fois persistance des données et source d’alimentation. Elle peut gérer significativement plus de données que le DRAM.
Kioxia prévoit de dévoiler trois technologies de pointe, axées sur SCM, DRAM et 3D NAND.
Leur première innovation est l’OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), co-développé avec Nanya Technology. Ce design de transistor vertical utilise des matériaux à semi-conducteurs d’oxyde pour réduire drastiquement les fuites de courant et la consommation d’énergie par rapport au DRAM conventionnel. Selon Kioxia, cette innovation pourrait révolutionner l’IA, les réseaux post-5G, les dispositifs IoT et d’autres applications où l’efficacité énergétique est cruciale.
Ensuite, Kioxia présente un MRAM (Mémoire Magnéto-Résistive) à haute capacité, développé en collaboration avec SK hynix pour les applications SCM. Les deux entreprises ont réalisé des opérations de lecture/écriture des cellules à un demi-pitch de 20,5 nanomètres sans précédent pour le MRAM, rendu possible grâce à l’intégration de sélecteurs de haute capacité avec des jonctions tunnel magnétiques.
Enfin, la dernière avancée de Kioxia en matière de mémoire flash NAND 3D présente une nouvelle architecture de « canal horizontal ». Contrairement à l’empilement vertical traditionnel, ce design dispose les cellules mémoire à l’horizontale, résolvant ainsi les problèmes de dégradation des performances courants dans les NAND 3D haute densité. L’approche horizontale vise à améliorer la densité des bits, la fiabilité et la rentabilité des générations futures de NAND 3D.
Dans le cadre de sa mission d' »élever le monde grâce à la mémoire », Kioxia a réaffirmé son engagement à ouvrir une nouvelle ère de technologie mémorielle. L’entreprise a également souligné son dévouement à la recherche et au développement pour soutenir « l’avenir de la société numérique ».
Bien sûr, un travail considérable reste à faire pour commercialiser ces avancées. Bien que les technologies soient encore dans les laboratoires, elles ont le potentiel de perturber significativement le paysage de la mémoire.