Les puces 7 nm d’Intel surpassent la densité 3 nm de Samsung

Les Puces 7 Nm D'intel Surpassent La Densité 3 Nm

Auparavant, ce qui se passait dans l’industrie était un peu inconnu, car il y avait moins de moyens de communication par lesquels les nouvelles étaient diffusées. Cependant, de nos jours, une plus grande place est accordée à ce secteur, et la quantité d’informations et de connaissances des consommateurs sur ce qui se passe dans les chaînes de montage a augmenté. Ainsi, des concepts tels que la lithographie et les nanomètres ont commencé à être de plus en plus courants et des sujets de débat par le public intéressé par ce segment.

À cet égard, une récente enquête menée par DigiTimes montre que les puces 7 nm d’Intel surpassent les puces 3 nm de Samsung en termes de densité.

La densité de processus de 7 nm d’Intel est supérieure à celle de 3 nm de Samsung

Un récent rapport de recherche mis à jour et publié par DigiTimes analysé la densité des procédés de fabrication de semi-conducteurs de Samsung, TSMC, Intel et IBM. Dans cette analyse, les processus de fabrication de 10 nm, 7 nm, 5 nm, 3 nm et 2 nm ont été comparés.

Selon le résultats vérifiés, le processus SuperFin 10 nm d’Intel peut être plus dense, avec 106 millions de transistors par mm2, que le processus TSMC de Taiwan ou le processus 7 nm de Samsung. À son tour, la lithographie 7 nm de la société américaine est estimée légèrement supérieure au 5 nm du rival taïwanais.

Bien sûr, ce sont toutes des perspectives théoriques, mais si tous les détails sont confirmés, les puces 5 nm d’Intel auront deux fois la densité de celles de Samsung et presque deux fois plus que celles de TSMC. En bref, la lithographie 5 nm d’Intel sera presque aussi dense que le processus 2 nm d’IBM, représentant 300 millions contre 333 millions par mm2.

1626342156 888 Les puces 7 nm dIntel surpassent la densite 3 nm

En entrant dans le domaine des 3 nanomètres, les recherches indiquent que Samsung n’offre pas d’amélioration significative par rapport à la lithographie 5 nm (de 127 millions de transistors à 170 millions). TSMC fournit une mise à niveau plus importante de 173 millions à 290 millions. Cependant, Intel devrait se démarquer de la concurrence avec ses puces 3 nm et surpasser les puces 2 nm de TSMC (520 millions contre 490 millions).

Il est important de souligner que seule la densité était le facteur de comparaison. Mais il reste encore un long chemin à parcourir avant de pouvoir déterminer plus concrètement ces données et d’autres.

  • Carte NM 128Go 90Mo/s Nano Carte mémoire Carte SD Nano Carte Compact Flash, Uniquement Compatible avec Les séries Huawei P30/P30pro et Mate20/Mate30/Mate40/Mate40pro, 128Go Carte
    NM 128Go Carte.Support: série Huawei Mate30 (Mate30/Mate30 PRO)/Mate40-Serie(Mate40/Mate40pro) Carte NANO 128Go.Support : série Huawei Mate20 (Mate 20/Mate20 X/Mate20 PRO/Mate20 RS) Vitesse de lecture possible jusqu'à 90 Mo/s. Support: série Huawei P30/P40-Serie (P30/P30PRO/P40/P40PRO)Remarque: P30Lite ne prend pas en charge Prend en charge le protocole EMMC 4.5 .Soutien:série Nova (Nova6 es/Nova5 Pro/Nova5 z/Nova5i Pro/NOVA5/Nova5i) Ala même taille qu'une carte Nano-SIM.Support:Huawei MateXS et Matepad Pro.
  • Carte NM 128Go 90Mo/S Nano Carte mémoire Nano Carte Uniquement Convient pour Huawei P30/P30 pro/P40 series/Mate20 Series/Mate30 Series/Mate40/Mate40pro Nano 128GB Card
    NM 128Go Carte.Support: série Huawei Mate30 (Mate30/Mate30 PRO)/Mate40-Serie(Mate40/Mate40pro) Carte NANO 128Go.Support : série Huawei Mate20 (Mate 20/Mate20 X/Mate20 PRO/Mate20 RS) Vitesse de lecture possible jusqu'à 90 Mo/s. Support: série Huawei P30/P40-Serie (P30/P30PRO/P40/P40PRO)Remarque: P30Lite ne prend pas en charge Prend en charge le protocole EMMC 4.5 .Soutien:série Nova (Nova6 es/Nova5 Pro/Nova5 z/Nova5i Pro/NOVA5/Nova5i) Ala même taille qu'une carte Nano-SIM.Support:Huawei MateXS et Matepad Pro.