Samsung annonce une mémoire GDDR6 de 24 Gbps pour les cartes graphiques de nouvelle génération

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En bref : Samsung améliore son portefeuille GDDR6 avec un nouveau module capable de taux de transfert de données de 24 Gbps par broche. Ceci est principalement destiné aux cartes graphiques haut de gamme et aux accélérateurs d’IA, mais la société fabriquera également des variantes à faible consommation d’énergie pour d’autres applications.

Samsung a annoncé aujourd’hui la première RAM GDDR6 24 Gbps du secteur qui alimentera la prochaine génération de cartes graphiques de Nvidia et AMD, ainsi que des ordinateurs portables, des consoles de jeux et des accélérateurs d’intelligence artificielle pour le centre de données.

Le géant coréen de la technologie dit qu’il a déjà commencé à échantillonner les nouvelles puces de mémoire d’une capacité de 16 Go et que ses clients commenceront les tests de vérification plus tard ce mois-ci. De plus, la disponibilité commerciale sera alignée sur les prochains lancements de GPU, il ne faudra donc pas longtemps avant de voir 24 Gbps GDDR6 dans les produits d’expédition.

Samsung annonce une memoire GDDR6 de 24 Gbps pour les

L’un des avantages évidents de ce nouveau module GDDR6 est qu’il peut offrir des vitesses 30 % plus rapides par rapport au précédent module 18 Gbit/s de Samsung. En d’autres termes, une carte graphique haut de gamme entièrement équipée pourra atteindre une bande passante mémoire allant jusqu’à 1,1 Tbps, soit l’équivalent du transfert de 275 films 1080p en une seconde.

Contrairement à la GDDR6X, qui a été développée par Micron en collaboration avec Nvidia, la nouvelle DRAM GDDR6 de Samsung est entièrement conforme aux spécifications JEDEC. On s’attend également à ce qu’il soit moins gourmand en énergie grâce à l’utilisation de la technologie de grille métallique high-k. Cela indique également qu’il fonctionnera plus froid que GDDR6X tout en offrant de meilleures performances et sera moins cher à fabriquer.

En parlant de fabrication, Samsung fabrique la nouvelle gamme GDDR6 sur un nœud de processus de 10 nm (1z). Et bien que la société cible principalement les GPU et les accélérateurs d’IA avec la nouvelle technologie, elle fabriquera également des variantes 20 Gbps et 16 Gbps pour les applications à faible consommation. À cette fin, Samsung utilise également une technologie de commutation de tension dynamique qui peut s’ajuster entre 1,1 V et 1,35 V pour atteindre 20 % d’efficacité énergétique en plus si nécessaire.

Il convient de noter que Samsung pense que le marché des graphiques hautes performances connaîtra une croissance saine à deux chiffres dans les années à venir. La société veut une part importante de ce gâteau de plus en plus important, elle a donc déployé tous les efforts possibles pour battre TSMC dans la course au développement de techniques de fabrication de puces de pointe.

Le mois dernier, il a commencé à fabriquer des puces sur un processus de 3 nm dans ses installations de Hwaseong. Reste à savoir si cela suffira ou non à intéresser des entreprises comme Nvidia, mais Samsung reste le leader mondial de l’espace DRAM avec une part de marché de près de 44 %.